鍍膜室內分成三個區域:①以蒸發源為中心的蒸發區;②以感應線圈為中心的離化區;③以基體為中心的離子加速區和離子到達區。通過分別調節熱發源功率，感應線圈的射頻激勵功率，基體偏壓等，可以對三個區域進行獨立的控制，從而有效地控制沉積過程.改善了鍍層的物性。
射頻離子鍍除了可以制備高質量的金屬薄膜外.還能鍍制化合物薄膜和合金薄膜。鍍化合物薄膜采用活性反應法。在反應離子鍍合成化合物薄膜和用多蒸發源配制合金膜時.精確調節蒸發源功率.控制物料的蒸發速率是十分重要的。
在感應線圈射頻激勵區中.電子在高頻電場作用下做振蕩運動.延長了電子到達陽極的路徑.增加了電子與反應氣體及金屬蒸氣碰掩的概率.這樣可提高放電電流密度。正是由于高頻電場的作用，使著火氣體壓強降低到10-3~10-1Pa，即叮在高真空中進行高頻放電.因而以電子束加熱蒸發源的射頻離子鍍.不必設置差壓板。
